美國埃賽力達高性能銦鎵砷APD C30645

美國埃賽力達高性能銦鎵砷APD C30645

C30662系列采用多種大面積InGaAs雪崩光電二極管（APD），具有200µm的有效感光面積。埃賽力達InGaAs APD可在1000nm至1700nm的光譜范圍內提供高量子效率（QE）、穩定響應度和低噪聲。這些器件以密封的TO-18封裝形式或在陶瓷載體上提供。陶瓷表面安裝式封裝便于輕松集成到大容量應用中。

埃賽力達C30662系列提供高帶寬和低噪聲，使OEM和系統制造商能夠以信噪比（SNR）實現的噪聲規范。新增強的低噪聲選項提高了LiDAR和人眼安全測距系統的范圍和性能，同時保持相同的激光輸出功率。此外，在檢測拉曼散射信號時，分布式溫度傳感 (DTS) 和分布式聲學傳感 (DAS) 等相干光時域反射計 (OTDR) 和光纖傳感應用可在較遠距離上提高靈敏度。

規格

文檔

系列型號    封裝類型    窗口材料    窗口孔徑    留言    

C30662ECERH    陶瓷載體    不適用    不適用    

C30662ECERH-1    ΔV > 4 V    

C30662EH    TO- , 引腳    玻璃1    大2    

C30662EH-1    ΔV > 4 V    

C30662EH-2    TO- , 引腳    3. 接地引腳    

C30662EH-137    TO- , 引腳    小    低噪聲，
ΔV > 4 V    

C30662EH-3    

C30662EH-5    硅    小2    

C30662EH-7    玻璃1    大2    低噪音    

C30662EH-27    TO- , 引腳    低噪聲，
3. 接地引腳    

C30662L-200    SMD    不適用    

C30662L-200-1    硅    

C30662L-200-7    玻璃1    低噪音    

C30662L-200-17    硅    

注意1：玻璃材料對于可見光和IR波長是透明的，而硅會阻擋波長高達約1.1µm的可見光。

注意2：AR涂層窗口。

參數    符號    最小值    典型值        單位    

上升時間/下降時間    tr/tf    0.4    ns    

帶寬    f3dB    600    850    MHz    

電容    標準    C    2.5    pF    

SMD    C    2.7    

暗電流    標準    iD    13    35    nA    

低噪聲    iD    7.5    15    

暗噪聲    標準    iN    0.45    1    pA/√(Hz)    

低噪聲    iN    0.35    0.5    

等效噪聲功率    標準    NEP    48    106    fW/√(Hz)    

等效噪聲功率    低噪聲    NEP    37    53    

工作增益    M    10    20    

擊穿的工作點    ΔV    4    V    

參數    符號    最小值    典型值        單位    

擊穿電壓    VBD    45    50    70    V    

光譜范圍    Δλ    1000    1700    nm    

量子效率    QE    75    %    

在1550nm處的響應度    R    9.3    A/W    

VBD的溫度系數    ΔV/ΔT    0.14    0.2    V/°C